导师姓名

黄文奇

出生年月

1984,6

学位

工学博士

职   称

副高

所属学科

一级学科

 电子科学与技术

二级学科

微电子与固体电子学

研究方向

 1、IV族合金半导体的能带调控与缺陷研究； 2、半导体能带与发光理论研究。

联系电话

13126720869

E-mail

hwq5667@bistu.edu.com

  通讯地址

北京市海淀区清河小营东路12号

邮编

100192

简介

教学方面：目前主要讲授研究生《固体物理》和本科生《大学物理实验》课程。获得2015年第六届校级实验教学基本功大赛一等奖，2019年高等学校物理基础课程（实验）青年教师讲课比赛北京赛区二等奖。主持和参与了多项校级教改项目，发表教学教改论文10余篇。近年来，指导学生参加北京市大学生物理实验竞赛，获得一等奖1项、二等奖3项和三等奖4项。

科研方面：目前科研方向主要为IV族合金半导体的能带调控与缺陷研究，指导硕士研究生6名。近年来主持了国家自然科学青年基金、北京市属高校青年拔尖人才培育计划，北京市教委面上和北京市优秀人才培养资助等项目。在国内外高水平SCI期刊发表论文十余篇。

主要社会兼职

PCCP, Physica B等杂志，通讯审稿人

主要科研项目（限填5项，含项目名称、来源，本人排序）

1. 校促进高效内涵发展科研水平提高重点研究培育项目，主持，12万，2019年11月-2021年11月

2.北京市青年拔尖人才培育计划项目，主持，45万，2018年1月-2020年12月

3. 国家自然科学基金青年项目，主持，18万，2016年9月-2019年12月

4. 北京市教委面上项目，主持, 12万，2017年1月-2018年12月

5. 北京市优秀人才培养资助项目，主持，4万，2011年11月-2014年11月

主要学术成果（限填10项，包括代表性的论文、专著、专利、科技奖励等，均标注排序）

发表论文：

1. Z.Y. Chen, W.Q. Huang*, H. Wang, C.Q. Zhang, H.M. Zhang, Theoretical investigation of the piezoelectric and surface acoustic wave properties of GeSn alloys, Physica B, 648 (2023) 6:414313.                   （SCI）                 

2. Sun Shengliu, Huang Wenqi*, Zhang Lixin, et al. Band and luminescence regulation of SiGeSn ternary alloy: A first principles investigation[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2022, 899: 163339   （SCI Top期刊）

3. W. Huang, H. Yang, B. Cheng, C. Xue, Theoretical study of the bandgap regulation of a two-dimensional GeSn alloy under biaxial strain and uniaxial strain along armchair direction, Physical Chemistry Chemical Physics, (2018). 23344-23351.                           (SCI二区)                               

4. W. Huang, H. Yang, B. Cheng, C. Xue, Theoretical study of the band structure for multilayer germanane under external strain, Journal of Physics D: Applied Physics, 51 (2018) 295101.                      (SCI二区)                            

5. W. Huang, H. Yang, B. Cheng, C. Xue, Theoretical study of the effect of different n-doping elements on band structure and optical gain of GeSn alloys, Physical Chemistry Chemical Physics, (2017).     (SCI Top期刊)

6. W. Huang, B. Cheng, C. Xue, H. Yang, The band structure and optical gain of a new IV-group alloy GePb: A first-principles calculation, Journal of Alloys and Compounds, 701 (2017) 816-821.          （SCI Top期刊）

7. W. Huang, B. Cheng, C. Xue, Z. Liu, Comparative studies of band structures for biaxial (100)-, (110)-, and (111)-strained GeSn: A first-principles calculation with GGA+U approach, Journal of Applied Physics, 118 (2015) 165704.                                                （SCI）

8. W. Huang, B. Cheng, C. Xue, C. Li, Comparative studies of clustering effect, electronic and optical properties for GePb and GeSn alloys with low Pb and Sn concentration, Physica B: condensed matter, 443 (2014) 43-48.                       

(SCI)

9. J. Zheng, W. Huang, Z. Liu, C. Xue, C. Li, Y. Zuo, B. Cheng, Q. Wang, Influence of H2 on strain evolution of high-Sn-content Ge1−x Snx alloys, J Mater Sci, 52 (2017) 431-436.                              (SCI)

10. Z.Liu, X.Zhang, C.He, W.Huang, C.Xue, B.Cheng, Progress in study of si-based Group IV optoelectronic Devices(Ι)-Lasers, Laser& Optoelectronics Progress, 7-15 (2014).                        (SCI)

11. C.He, Z.Li, X.Zhang, W.Huang, C.Xue, B.Cheng，Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGemultiple quantum wells at room temperature，Chinese Physics B，2014，23（11）：116103-1-116103-4.                                       (SCI)